Unterschied zwischen BJT und IGBT

BJT gegen IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sind zwei Arten von Transistoren, die zur Steuerung von Strömen verwendet werden. Beide Geräte haben PN-Übergänge und unterscheiden sich in der Gerätestruktur. Obwohl beide Transistoren sind, weisen sie signifikante Unterschiede in den Eigenschaften auf.

BJT (Bipolarer Übergangstransistor)

BJT ist ein Transistortyp, der aus zwei PN-Übergängen besteht (einem Übergang, der durch Anschließen eines p-Halbleiters und eines n-Halbleiters hergestellt wird). Diese zwei Übergänge werden gebildet, indem drei Halbleiterstücke in der Reihenfolge P-N-P oder N-P-N verbunden werden. Daher stehen zwei Arten von BJTs zur Verfügung, die als PNP und NPN bekannt sind.

Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden, und die mittlere Leitung wird als Basis bezeichnet. Andere zwei Verbindungen sind "Emitter" und "Sammler".

In BJT wird ein großer Kollektor (I_c) Der Strom wird durch den kleinen Basisemitterstrom (I_B) und diese Eigenschaft wird genutzt, um Verstärker oder Schalter zu entwerfen. Daher kann es als stromgesteuertes Gerät betrachtet werden. BJT wird meistens in Verstärkerschaltungen verwendet.

IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate)

IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Terminals, die als "Emitter", "Collector" und "Gate" bezeichnet werden. Es ist ein Transistortyp, der eine höhere Leistungsmenge verarbeiten kann und eine höhere Schaltgeschwindigkeit aufweist, wodurch er hocheffizient ist. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.

IGBT verfügt über die kombinierten Merkmale von MOSFET und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist wie ein MOSFET Gate-gesteuert und hat Stromspannungseigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile einer hohen Strombelastbarkeit und einer einfachen Steuerung. IGBT-Module (bestehend aus mehreren Geräten) verarbeiten Kilowatt Leistung.