Unterschied zwischen IGBT und Thyristor
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IGBT gegen Thyristor
Thyristor und IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sind zwei Arten von Halbleiterbauelementen mit drei Anschlüssen, und beide werden zur Steuerung von Strömen verwendet. Beide Geräte verfügen über einen Steueranschluß, der als "Gate" bezeichnet wird, weisen jedoch unterschiedliche Betriebsprinzipien auf.
Thyristor
Der Thyristor besteht aus vier alternierenden Halbleiterschichten (in Form von P-N-P-N) und besteht daher aus drei PN-Übergängen. In der Analyse wird dies als eng gekoppeltes Transistorenpaar betrachtet (ein PNP und ein anderer in NPN-Konfiguration). Die äußersten Halbleiterschichten vom P- und N-Typ werden als Anode bzw. Kathode bezeichnet. Die mit der inneren Halbleiterschicht vom P-Typ verbundene Elektrode wird als "Gate" bezeichnet..
Im Betrieb wirkt der Thyristor leitend, wenn dem Gate ein Impuls zugeführt wird. Es gibt drei Betriebsmodi, die als "Rückwärtssperrmodus", "Vorwärtssperrmodus" und "Vorwärtsleitungsmodus" bezeichnet werden. Sobald das Gate mit dem Impuls getriggert wird, geht der Thyristor in den "Vorwärtsleitungsmodus" und bleibt so lange leitend, bis der Vorwärtsstrom den Schwellenwert "Haltestrom" unterschreitet..
Thyristoren sind Leistungsbauelemente und werden meistens in Anwendungen eingesetzt, in denen hohe Ströme und Spannungen auftreten. Die am häufigsten verwendete Thyristoranwendung ist die Steuerung von Wechselströmen.
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT)
IGBT ist ein Halbleiterbauelement mit drei Terminals, die als "Emitter", "Collector" und "Gate" bezeichnet werden. Es ist ein Transistortyp, der eine höhere Leistungsmenge verarbeiten kann und eine höhere Schaltgeschwindigkeit aufweist, wodurch er hocheffizient ist. IGBT wurde in den 1980er Jahren auf den Markt gebracht.
IGBT verfügt über die kombinierten Merkmale von MOSFET und Bipolar Junction Transistor (BJT). Es ist wie ein MOSFET Gate-gesteuert und hat Stromspannungseigenschaften wie BJTs. Daher hat es die Vorteile einer hohen Stromhandhabungsfähigkeit und einer einfachen Steuerung. IGBT-Module (bestehend aus mehreren Geräten) verarbeiten Kilowatt Leistung.
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In Kürze: Unterschied zwischen IGBT und Thyristor 1. Drei Anschlüsse des IGBT sind als Emitter, Kollektor und Gate bekannt, während der Thyristor als Anode, Kathode und Gate bekannte Anschlüsse aufweist. 2. Das Gate des Thyristors benötigt nur einen Impuls, um in den leitenden Modus zu wechseln, während der IGBT eine kontinuierliche Versorgung der Gate-Spannung benötigt. 3. IGBT ist eine Art von Transistor, und der Thyristor wird in der Analyse als Paar von Transistoren mit festem Paar betrachtet. 4. Der IGBT hat nur einen PN-Übergang und der Thyristor drei. 5. Beide Geräte werden in Hochleistungsanwendungen verwendet.
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