Unterschied zwischen MOSFET und BJT

MOSFET gegen BJT

Transistor ist eine elektronische Halbleitervorrichtung, die ein stark sich änderndes elektrisches Ausgangssignal für kleine Änderungen in kleinen Eingangssignalen liefert. Aufgrund dieser Qualität kann das Gerät entweder als Verstärker oder als Schalter verwendet werden. Transistor wurde in den 1950er Jahren auf den Markt gebracht und kann angesichts des Beitrags zur IT als eine der wichtigsten Erfindungen des 20. Jahrhunderts betrachtet werden. Es ist eine sich schnell entwickelnde Vorrichtung, und viele Arten von Transistoren wurden eingeführt. Der Bipolar-Junction-Transistor (BJT) ist der erste Typ und der Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist ein anderer Transistortyp, der später eingeführt wird.

Bipolarer Übergangstransistor (BJT)

BJT besteht aus zwei PN-Übergängen (einem Übergang, der durch Verbinden eines p-Halbleiters mit einem n-Halbleiters hergestellt wird). Diese zwei Übergänge werden gebildet, indem drei Halbleiterstücke in der Reihenfolge P-N-P oder N-P-N verbunden werden. Daher stehen zwei Arten von BJTs zur Verfügung, die als PNP und NPN bekannt sind.

Drei Elektroden sind mit diesen drei Halbleiterteilen verbunden, und die mittlere Leitung wird als Basis bezeichnet. Andere zwei Verbindungen sind "Emitter" und "Sammler".

In der BJT wird der Strom mit großem Kollektor-Emitter (Ic) durch den kleinen Basis-Emitterstrom (IB) gesteuert, und diese Eigenschaft wird zum Entwerfen von Verstärkern oder Schaltern ausgenutzt. Daher kann es als stromgesteuertes Gerät betrachtet werden. BJT wird meistens in Verstärkerschaltungen verwendet.

Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET)

MOSFET ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der aus drei Anschlüssen besteht, die als "Gate", "Source" und "Drain" bezeichnet werden. Hier wird der Drainstrom durch die Gatespannung gesteuert. Daher sind MOSFETs spannungsgesteuerte Bauelemente.

MOSFETs sind in vier verschiedenen Typen erhältlich, z. B. n-Kanal oder p-Kanal, entweder im Erschöpfungs- oder im Anreicherungsmodus. Drain und Source bestehen aus n-Halbleiter für n-Kanal-MOSFETs und in ähnlicher Weise für p-Kanal-Bauelemente. Das Gate besteht aus Metall und ist mit einem Metalloxid von Source und Drain getrennt. Diese Isolierung bewirkt einen geringen Stromverbrauch und ist bei MOSFETs von Vorteil. Daher wird der MOSFET in der digitalen CMOS-Logik verwendet, wobei p- und n-Kanal-MOSFETs als Bausteine ​​zur Minimierung des Energieverbrauchs verwendet werden.

Obwohl das Konzept des MOSFET bereits sehr früh (1925) vorgeschlagen wurde, wurde es 1959 in den Bell-Labors praktisch umgesetzt.