BJT vs MOSFET
Die Transistoren BJT und MOSFET sind beide nützlich für Verstärkungs- und Schaltanwendungen. Sie haben jedoch deutlich unterschiedliche Eigenschaften.
BJT ist wie beim Bipolar Junction Transistor ein Halbleiterbauelement, das die Vakuumröhren früherer Zeiten ersetzt hat. Die Vorrichtung ist ein stromgesteuertes Gerät, bei dem der Kollektor- oder Emitterausgang eine Funktion des Stroms in der Basis ist. Grundsätzlich wird die Betriebsart eines BJT-Transistors durch den Strom an der Basis angesteuert. Die drei Anschlüsse eines BJT-Transistors werden als Emitter, Collector und Base bezeichnet.
Ein BJT ist eigentlich ein Stück Silizium mit drei Bereichen. In ihnen gibt es zwei Übergänge, bei denen jede Region unterschiedlich benannt ist. Es gibt zwei Arten von BJTs, den NPN-Transistor und den PNP-Transistor. Die Typen unterscheiden sich in ihren Ladungsträgern, wobei NPN Löcher als Primärträger aufweist, während PNP Elektronen enthält.
Die Arbeitsprinzipien der beiden BJT-Transistoren PNP und NPN sind praktisch identisch. Der einzige Unterschied besteht in der Vorspannung und der Polarität der Stromversorgung für jeden Typ. Viele bevorzugen BJTs für Schwachstromanwendungen, wie zum Beispiel für Schaltzwecke, weil sie billiger sind.
Der Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor oder einfach der MOSFET und manchmal auch der MOS-Transistor ist eine spannungsgesteuerte Vorrichtung. Im Gegensatz zum BJT ist kein Basisstrom vorhanden. Es gibt jedoch ein Feld, das durch eine Spannung am Gate erzeugt wird. Dies ermöglicht einen Stromfluss zwischen der Source und dem Drain. Dieser Stromfluss kann durch die Spannung am Gate eingeklemmt oder geöffnet werden.
Bei diesem Transistor kann eine Spannung an einer oxidisolierten Gateelektrode einen Kanal zum Leiten zwischen den anderen Kontakten "der Source und dem Drain" erzeugen. Das Beste an MOSFETs ist, dass sie die Leistung effizienter handhaben. MOSFETs sind heutzutage der am häufigsten verwendete Transistor in digitalen und analogen Schaltkreisen und ersetzen die damals sehr beliebten BJTs.
Zusammenfassung:
1. Der BJT ist ein Bipolar-Junction-Transistor, während der MOSFET ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ist.
2. Ein BJT hat einen Emitter, einen Kollektor und eine Basis, während ein MOSFET ein Gate, eine Source und ein Drain aufweist.
3. BJTs werden für Anwendungen mit niedrigem Strom bevorzugt, während MOSFETs für Hochleistungsfunktionen vorgesehen sind.
4. In digitalen und analogen Schaltungen werden heutzutage MOSFETs häufiger als BJTs verwendet.
5. Der Betrieb des MOSFET hängt von der Spannung an der oxidisolierten Gateelektrode ab, während der Betrieb des BJT von dem Strom an der Basis abhängt.