Unterschied zwischen BJT und FET

BJT vs FET

Transistoren können nach ihrer Struktur kategorisiert werden, und zwei der bekannteren Transistorstrukturen sind der BJT und der FET.

BJT oder Bipolar Junction Transistor war die erste Art, die kommerziell in Serie produziert wurde. BJTs verwenden sowohl Minderheits- als auch Mehrheitsträger, und ihre drei Terminals haben die entsprechenden Namen „Basis, Emitter und Kollektor“. Sie besteht im Wesentlichen aus zwei P-N-Übergängen - dem Basis-Kollektor und dem Basis-Emitter-Übergang. Ein Material, das als Basisbereich bezeichnet wird und ein dünner dazwischenliegender Halbleiter ist, trennt diese beiden Übergänge.

Bipolare Junction-Transistoren sind bei Verstärkervorrichtungen sehr nützlich, da Kollektor- und Emitterströme effektiv durch den geringen Strom an der Basis gesteuert werden. Sie werden als solche bezeichnet, weil der Strom, der gesteuert wird, zwei Arten von Halbleitermaterialien durchläuft, nämlich „P und N“. Der Strom besteht im Wesentlichen aus Loch- und Elektronenfluss in separaten Teilen des Bipolartransistors.

BJTs fungieren im Wesentlichen als Stromregler. Ein kleiner Strom regelt einen größeren Strom. Damit sie ordnungsgemäß als Stromregler arbeiten können, müssen sich die Basisströme und die Kollektorströme in die richtigen Richtungen bewegen.

FET oder Feldeffekttransistor steuert auch den Strom zwischen zwei Punkten, verwendet jedoch eine andere Methode als der BJT. Wie der Name vermuten lässt, hängt die Funktion von FETs von den Auswirkungen elektrischer Felder und von der Strömung oder Bewegung von Elektronen im Verlauf eines bestimmten Halbleitermaterials ab. FETs werden aufgrund dieser Tatsache manchmal als unipolare Transistoren bezeichnet.

Der FET verwendet entweder Löcher (P-Kanal) oder Elektronen (N-Kanal) für die Leitung und hat drei Anschlüsse - Source, Drain und Gate -, wobei der Körper in den meisten Fällen mit der Source verbunden ist. In vielen Anwendungen ist der FET im Wesentlichen ein spannungsgesteuertes Gerät, da seine Ausgangsattribute von dem Feld festgelegt werden, das von der angelegten Spannung abhängig ist.

Zusammenfassung:

1. Der BJT ist ein stromgesteuertes Gerät, da sein Ausgang vom Eingangsstrom bestimmt wird, während FET als spannungsgesteuertes Gerät betrachtet wird, da es von der Feldwirkung der angelegten Spannung abhängt.

2. Der BJT (Bipolar Junction Transistor) verwendet sowohl die Minoritäts- als auch die Majoritätsladungsträger (Löcher und Elektronen), während FETs, die manchmal als unipolare Transistoren bezeichnet werden, entweder Löcher oder Elektronen zum Leiten verwenden.

3. Die drei Terminals von BJT werden Basis, Emitter und Kollektor genannt, während FETs als Source, Drain und Gate bezeichnet werden.

4. BJTs sind der erste Typ, der kommerziell produziert wird.